光半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999082788
Publication number (International publication number)：2000275418
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【目的】、GaAs表面に形成されたサブミクロンオーダーの微細な凹凸形状を維持したまま別の半導体層で埋め込むことにより形成される回折格子を有する光半導体素子を高性能、高信頼性、高歩留まりで提供することである【構成】凹凸構造の凸部が下側aAs層1/中間層2/上側GaAs層3から成る積層構造で構成され、上記凹凸構造が半導体層5により埋め込まれて成る回折格子を有することを特徴とする光半導体素子である。

Claim (excerpt)：

回折格子を備えた光半導体素子であって、回折格子を構成する凹凸構造の凸部がGaAs層/中間層/GaAs層からなる積層構造であり、前記凹凸構造が半導体層により埋め込まれていることを特徴とする光半導体素子。

IPC (2)：

G02B 5/18 , H01S 5/12

FI (2)：

G02B 5/18 , H01S 3/18 642

F-Term (9)：

2H049AA34 , 2H049AA37 , 2H049AA44 , 2H049AA48 , 2H049AA62 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA64 , 5F073CA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平4-336482
半導体装置,及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-164124 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭59-139691

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

AlGaAs/GaAs DISTRIBUTED FEEDBACK LASER DIODES GROWN BY MOCVD

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