半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、希土類添加光ファイバ増幅器、およびファイバレーザ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西教圭一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000101089
Publication number (International publication number)：2000357841
Application date： Apr. 03, 2000
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】結合効率の設計自由度や製造自由度が高い回折格子を備えた導波構造を実現し、動的単一モード半導体レーザを容易に再現性よく高い歩留まりおよび高い信頼性で提供する。【解決手段】半導体レーザ素子は、活性層5と、活性層を間に挟む上部導波層7a,7bおよび下部導波層3と、活性層並びに上部および下部導波層を間に挟む上部クラッド層11および下部クラッド層2と、活性層5への電流注入領域を規定する電流狭窄層13とを備え、共振器方向に周期的な構造を有する回折格子10が上部または下部のいずれかの導波層内に埋め込まれており、回折格子10が少なくとも電流注入領域の一部に存在し、さらに回折格子10が埋め込まれた導波層と該導波層に隣接するクラッド層との界面が共振器方向に実質的に平坦である。

Claim (excerpt)：

活性層と、活性層を間に挟む上部および下部導波層と、前記活性層並びに上部および下部導波層を間に挟む上部および下部クラッド層と、活性層への電流注入領域を規定する電流狭窄構造とを備えた半導体レーザ素子において、共振器方向に周期的な構造を有する回折格子が前記上部または下部のいずれかの導波層内に埋め込まれており、前記回折格子が少なくとも電流注入領域の一部に存在し、さらに前記回折格子が埋め込まれた導波層と該導波層に隣接するクラッド層との界面が共振器方向に実質的に平坦であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (6)：

H01S 5/12 , G02B 5/18 , G02B 6/42 , H01S 3/06 , H01S 3/094 , H01S 3/10

FI (6)：

H01S 5/12 , G02B 5/18 , G02B 6/42 , H01S 3/06 B , H01S 3/10 Z , H01S 3/094 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-299555 Applicant：富士写真フイルム株式会社
半導体レーザ光源および固体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-070981 Applicant：三井化学株式会社
特開昭63-273384

Show all

Return to Previous Page