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J-GLOBAL ID：200903001748679679
微細パターンの製造方法と半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993350384
Publication number (International publication number)：1995201825
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 工程数を増加させることなく良好に安定したマスクパターンを形成できるように、反射防止効果と無機マスクとを兼ね備える無機膜を決定し、これにより良好なマスクパターンの転写を可能にする微細パターンの製造方法および半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 下地基板上に、無機膜で構成された反射防止膜20を形成し、この反射防止膜20上に、レジスト膜24を形成し、このレジスト膜24に対し、i線またはi線よりも短波長の光を用いて、露光を行い、レジスト膜24にマスクパターン26を転写し、このマスクパターンが転写されたレジスト膜26をマスクとして、反射防止膜20をエッチング加工し、反射防止膜20にマスクパターンを転写し、このマスクパターンが転写された反射防止膜20をマスクとして、金属配線層が形成された下地基板18をエッチング加工し、下地基板18にマスクパターンを転写する。
Claim (excerpt)：
下地基板上に、無機膜で構成された反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜上に、レジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜に対し、i線またはi線よりも短波長の光を用いて、露光を行い、レジスト膜にマスクパターンを転写する工程と、このマスクパターンが転写されたレジスト膜をマスクとして、上記反射防止膜をエッチング加工し、反射防止膜にマスクパターンを転写する工程と、このマスクパターンが転写された反射防止膜をマスクとして、下地基板をエッチング加工し、下地基板にマスクパターンを転写する工程とを有する微細パターンの製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/3065
, G03F 7/11 503
, G03F 7/20 521
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
H01L 21/302 J
, H01L 21/30 574
