X線マスクの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅野中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996120330
Publication number (International publication number)：1997306812
Application date： May. 15, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 X線マスクのX線吸収体パターンの内部応力を局部的に変化させ、パターン位置を補正して絶対位置精度の高いX線マスクを作製する。また、下地パターンの位置歪に合うようにX線マスクのパターン位置を補正して、下地パターンとの重ね合わせ精度の高いX線マスクを作製する。また、長期間の使用によって劣化したX線マスクの位置精度を改善する。【解決手段】完成後のX線マスクの位置精度を測定し、レーザー,電子ビーム,イオンビーム等を用いてX線吸収体パターン1の位置歪が生じている領域の周辺を局部的に加熱し、X線吸収体パターン1の内部応力を局部的に変化させてX線マスクのパターン位置を補正する。また、加熱時の雰囲気,圧力,加熱温度,加熱時間を制御することによって、X線吸収体パターン1の内部応力の変化量を調整する。

Claim (excerpt)：

X線吸収体パターンの内部応力によってパターンに位置歪が生じているX線マスクに対して、前記X線吸収体パターンの位置歪が生じている領域の周辺を局部的に加熱し、被加熱領域のX線吸収体パターンの内部応力を変化させることによって、前記位置歪を低減することを特徴とするX線マスクの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

FI (2)：

H01L 21/30 531 M , G03F 1/16 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-061114
特開平4-061114
特開昭62-194620

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