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J-GLOBAL ID：200903001766502115

シリコン膜の形成方法

Inventor：
山本 浩史

About 山本 浩史


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 中村 恒久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997133185
Publication number (International publication number)：1998321536
Application date： May. 23, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高速にかつ低温でシリコン膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 高次シランの溶液と触媒との混合物を基板6上に塗布して熱分解し、シリコン膜を形成する。高次シランとしては、一般式SinH2n+2(nはn≧3の整数)で表される高次シラン、または一般式SinHlXm(Xは塩素、フッ素、臭素またはヨウ素のいずれかであり、l+m=2n+2、nはn≧3の整数)で表されるハロゲン化高次シランを用いる。触媒としては、ニッケル、鉄、コバルトまたは白金の少なくとも一つを含有する物質または溶液からなるものを用いる。
Claim (excerpt)：
高次シランの溶液と触媒との混合物を熱分解して、シリコン膜を基板上に形成することを特徴とするシリコン膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/208 ,  C23C 18/08 ,  C23C 18/14 ,  H01L 31/04
FI (4)：
H01L 21/208 Z ,  C23C 18/08 ,  C23C 18/14 ,  H01L 31/04 X
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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