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J-GLOBAL ID：200903001770687332

薄膜コンデンサ素子および薄膜コンデンサアレイ

Inventor：
見島 常雄

About 見島 常雄


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005126860
Publication number (International publication number)：2006303389
Application date： Apr. 25, 2005
Publication date： Nov. 02, 2006
Summary：
【課題】 直流バイアス電圧の印加により容量を大きく変化できるが、高周波信号による非線形歪み等は小さく抑えることができる薄膜コンデンサアレイを提供する。 【解決手段】 M個の薄膜コンデンサが積層されて並列に接続された薄膜コンデンサ素子をN個直列接続して第1〜第Nの可変容量形成部C1〜C3を形成し、第1の可変容量形成部C1の入力端子側端子部と第2iの可変容量形成部C2および第2i+1の可変容量形成部C3間の接続点との間に第iの入力端子側バイアスラインV11を設け、かつ第Nの可変容量形成部C3の出力端子側端子部と第2i-1の可変容量形成部C1および第2iの可変容量形成部C2間の接続点との間に第iの出力端子側バイアスラインV21を設けた薄膜コンデンサアレイである。高周波信号による非線形歪みが抑えられ、耐電力に優れるとともに、直流バイアス電圧による容量の変化は大きくできる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
支持基板上に下部電極層と、M層(Mは2以上の自然数)の薄膜誘電体層と、各薄膜誘電体層間にそれぞれ配置された中間電極層と、前記薄膜誘電体層の最上層の上に配置された上部電極層とを積層し、前記M層の薄膜誘電体層の面積を上部電極層に近いほど小さくして、前記M層の薄膜誘電体層によるM個の薄膜コンデンサを積層したことを特徴とする薄膜コンデンサ素子。
IPC (3)：
H01G 7/06 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/33
FI (3)：
H01G7/06 ,  H01G4/12 394 ,  H01G4/06 102
F-Term (23)：
5E001AB03 ,  5E001AB06 ,  5E001AC06 ,  5E001AC08 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH03 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB01 ,  5E082AB03 ,  5E082BB05 ,  5E082BC11 ,  5E082CC02 ,  5E082DD11 ,  5E082EE05 ,  5E082EE11 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082EE47 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG42
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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