高周波用容量可変素子の製造方法及び高周波用容量可変素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998058282
Publication number (International publication number)：1999260667
Application date： Mar. 10, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】セラミック基板上にも容易に形成でき、小型で、低電圧で容量変化が大きく、1GHz以上の周波数でもキャパシタ特性が劣化しない小型で、かつ低製造コストの高周波用容量可変素子の製造方法を提供すること。【解決手段】下部電極2として低抵抗・非酸化性金属からなる膜を塗布熱分解法により形成し、下部電極2上に誘電体薄膜3を塗布熱分解法により形成し、誘電体薄膜3上に上部電極5として低抵抗・非酸化性金属の単層又は低抵抗・非酸化性金属/高融点金属/低抵抗・非酸化性金属からなる積層膜をスパッタリング法又は真空蒸着法により形成する高周波用容量可変素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

下部電極として非酸化性金属からなる膜を塗布熱分解法により形成し、前記下部電極上に誘電体薄膜を塗布熱分解法により形成し、前記誘電体薄膜上に上部電極として低抵抗・非酸化性金属の単層又は低抵抗・非酸化性金属/高融点金属/非酸化性金属からなる積層膜をスパッタリング法又は真空蒸着法により形成することを特徴とする高周波用容量可変素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

(Ba,Sr)TiO3薄膜コンデンサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-307395 Applicant：三菱マテリアル株式会社
薄膜コンデンサ内蔵型モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-224907 Applicant：三菱マテリアル株式会社
薄膜コンデンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-071968 Applicant：京セラ株式会社

Cited by examiner (3)

(Ba,Sr)TiO3薄膜コンデンサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-307395 Applicant：三菱マテリアル株式会社
薄膜コンデンサ内蔵型モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-224907 Applicant：三菱マテリアル株式会社
薄膜コンデンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-071968 Applicant：京セラ株式会社

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