プラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小原肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092304
Publication number (International publication number)：1994283471
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】処理容器の中心部分でのプラズマ密度の低下をなくして均一な高密度プラズマを作り、大口径の被処理体を均一に高速処理できるプラズマ処理装置を提供する。【構成】本プラズマ処理装置は、所定の真空度に保持する処理容器3と、この処理容器3の上面に配設され且つこの内部に高周波を発信してプロセスガスGからプラズマPを発生させるプラズマ発生手段4と、このプラズマ発生手段4の作用によりプロセスガスGから発生したプラズマPで所定の処理を施す半導体ウエハWを保持する保持体5とを備え、ガス供給部1は処理容器3の周方向等間隔に4箇所に配設された第1ガス供給部1A〜1D及び処理容器3の上面中央に配設された第2ガス供給部1Eからなり、また、ガス排気部2は上記処理容器の周方向等間隔に4箇所に配設されて構成されている。

Claim (excerpt)：

プロセスガスを供給するガス供給部及び処理後のガスを排気するガス排気部を有し且つ所定の真空度に保持する処理容器と、この処理容器の上面に配設され且つこの内部に高周波を発信して上記プロセスガスからプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、このプラズマ発生手段の作用により上記プロセスガスから発生したプラズマで所定の処理を施す被処理体を保持する保持体とを備えたプラズマ処理装置において、上記ガス供給部は上記処理容器の周方向等間隔に複数配設された第1ガス供給部及び上記処理容器の上面中央に配設された第2ガス供給部からなり、また、上記ガス排気部は上記処理容器の周方向等間隔に複数配設されてなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/302 , C23C 16/50 , H01L 21/203 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-291922
特開昭63-141318
特開平3-151629

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