微細パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：日向寺雅彦 , 松山允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004000347
Publication number (International publication number)：2005197349
Application date： Jan. 05, 2004
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：

【課題】真空紫外線によるキュア効果を利用してエッチングなどの各種の耐性を改善し、変形や「倒れ」などを抑制できる疎なパターンを形成可能とした微細パターン形成方法及びこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板の上に下地膜を形成する工程と、前記下地膜の上に、第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンに真空紫外線を照射する工程と、前記下地膜の上に、第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第1及び第2のレジストパターンをマスクとして前記下地膜をエッチングする工程と、前記第1及び第2のレジストパターンを除去する工程と、を備えたことを特徴とする微細パターン形成方法を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の上に下地膜を形成する工程と、前記下地膜の上に、第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンに真空紫外線を照射する工程と、前記下地膜の上に、第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第1及び第2のレジストパターンをマスクとして前記下地膜をエッチングする工程と、前記第1及び第2のレジストパターンを除去する工程と、を備えたことを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (4)：

H01L21/027 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/3065

FI (6)：

H01L21/30 573 , G03F7/26 511 , G03F7/40 511 , G03F7/40 521 , H01L21/30 570 , H01L21/302 105A

F-Term (17)：

2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096HA03 , 2H096HA05 , 2H096HA07 , 2H096JA04 , 2H096KA03 , 2H096KA06 , 5F004AA04 , 5F004BB02 , 5F004EA03 , 5F004EA04 , 5F046LA18 , 5F046NA01 , 5F046NA08 , 5F046NA12 , 5F046NA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

パターン形成方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-122862 Applicant：株式会社東芝

Return to Previous Page