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J-GLOBAL ID：200903001797542581

窒化物半導体発光素子、ならびにそれを使用した発光装置およびピックアップ装置

Inventor：
津田 有三

About 津田 有三

, 
伊藤 茂稔

About 伊藤 茂稔


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000272513
Publication number (International publication number)：2002084040
Application date： Sep. 08, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 As、PおよびSbの少なくともいずれかを含む窒化物半導体を発光層に用いた発光素子について、発光効率または発光強度が高められた発光素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、GaN基板100上に形成された窒化物半導体からなるn型層102ならびにp型層104および105と、n型層102とp型層104との間に配置された発光層103とを備える。発光層103は、井戸層、または井戸層と障壁層の組合せからなる。発光層103を構成する層のうち少なくとも井戸層は、As、PおよびSbよりなる群から選ばれる一種以上の元素X、NおよびGaを含む窒化物半導体からなる。発光層を構成する窒化物半導体において、元素Xの原子数とNの原子数の合計に対するXの原子数の割合は、原子百分率で30%以下であり、かつ発光層を構成する層のうち少なくとも井戸層は、Mg、Be、Zn、Cd、C、Si、Ge、Sn、O、S、SeおよびTeよりなる群から選ばれる一種以上の元素を不純物として含有する。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体結晶からなる基板、または窒化物半導体結晶膜が他の結晶材料上に成長させられた構造を有する基板と、前記基板上に形成された、窒化物半導体からなるn型層およびp型層と、前記n型層と前記p型層との間に配置された発光層とを備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記発光層は、井戸層、または井戸層と障壁層との組合せからなり、前記発光層を構成する層のうち少なくとも井戸層は、As、PおよびSbよりなる群から選ばれる一種以上の元素X、NおよびGaを含む窒化物半導体からなり、前記発光層を構成する前記窒化物半導体において、前記元素Xの原子数と前記Nの原子数の合計に対する前記Xの原子数の割合は、原子百分率で30%以下であり、かつ前記発光層を構成する層のうち少なくとも井戸層は、Mg、Be、Zn、Cd、C、Si、Ge、Sn、O、S、SeおよびTeよりなる群から選ばれる一種以上の元素を不純物として含有することを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (3)：
H01S 5/343 ,  G11B 7/125 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S 5/343 ,  G11B 7/125 A ,  H01L 33/00 C
F-Term (21)：
5D119AA42 ,  5D119AA43 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041FF16 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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