Pat

J-GLOBAL ID：200903014056262047

窒化物半導体素子

Inventor： 長濱 慎一 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997364012
Publication number (International publication number)：1998335757
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】 電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 1又は多層のn型窒化物半導体層と1又は多層のp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層及び前記n型窒化物半導体層の内の少なくとも一つは超格子層であって、前記超格子層は、100オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第1の層と、該第1の層と組成が異なりかつ100オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第2の層とが積層されている。

Claim (excerpt)：

1又は多層のp型窒化物半導体層と、該p型窒化物半導体層を介してキャリアが注入されて所定の動作をする窒化物半導体からなる活性層とを備えた窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層の少なくとも一つは超格子層であることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-292304   Applicant：日亜化学工業株式会社
• ミニバンドを有する半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-052135   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190467   Applicant：松下電器産業株式会社
• GaN系発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-311441   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩, 科学技術振興事業団
• 半導体薄膜及び半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-009092   Applicant：松下電器産業株式会社
• 3-5族半導体薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-316905   Applicant：古河電気工業株式会社
• コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281958   Applicant：三菱化学株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-239309   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-038259   Applicant：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-025003   Applicant：株式会社東芝