有機半導体材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005017898
Publication number (International publication number)：2006210475
Application date： Jan. 26, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供することである。【解決手段】有機金属錯体ではない、色素骨格を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

有機金属錯体ではない、色素骨格を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。

IPC (2)：

H01L 51/05 , H01L 29/786

FI (2)：

H01L29/28 , H01L29/78 618B

F-Term (44)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK10 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN72 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-076693 Applicant：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタおよびデバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-223418 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-333152 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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