Pat

J-GLOBAL ID：200903001932016992

光半導体装置

Inventor： 山本 剛之 ,  小林 宏彦 ,  江川 満 ,  藤井 卓也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995322833
Publication number (International publication number)：1997162485
Application date： Dec. 12, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】選択成長法により利得領域の膜厚と導波路領域の膜厚を異ならせた化合物半導体装置に関し、膜厚の厚い領域での圧縮歪みを低減すること。【解決手段】利得領域30Aで平坦に形成され、導波路領域30Bでは該利得領域30Aよりも薄く且つテーパ状に形成される量子井戸構造層34と、前記量子井戸構造層34の上下に形成されるクラッド層32、36と、前記クラッド層32、36と前記量子井戸構造層34の間において前記利得領域30Aで平坦で且つ前記導波路領域30Bでテーパ状に形成されるとともに、該テーパの先端で引張応力が生じている光ガイド層33、35とを含む。

Claim (excerpt)：

利得領域で平坦に形成され、導波路領域では該利得領域よりも薄く且つテーパ状に形成される量子井戸構造層と、前記量子井戸構造層の上下に形成されるクラッド層と、前記クラッド層と前記量子井戸層の間において前記利得領域で平坦で且つ前記導波路領域でテーパ状に形成されるとともに、該記テーパの先端で引張応力が生じている光ガイド層とを有することを特徴とする光半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-165145   Applicant：富士通株式会社