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J-GLOBAL ID：200903020884738535
光半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994165145
Publication number (International publication number)：1995283490
Application date： Jul. 18, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】光通信、光ディスク装置、光インターコネクションなどの光源に用いられる光半導体装置に関し、導波路での光吸収を小さくし、低閾値で安定なレーザ発振すること。【構成】光を発振させる利得領域Aから光を発振させずに導波するモード変換領域Bにかけて形成され、且つ、該モード変換領域Bでは層数を変えずに該利得領域Aから離れるにつれて膜厚が薄く形成され、さらに該モード変換領域Bでの入射端の膜厚は出射端の膜厚に比べて2倍以上となるストライプ状の量子井戸構造層6と、前記量子井戸構造層6を挟む第一及び第二のクラッド層2,8とを含む。
Claim (excerpt)：
光を発振させる利得領域から光を発振させずに導波するモード変換領域にかけて形成され、且つ、該モード変換領域では層数を変えずに該利得領域から離れるにつれて膜厚が薄く形成され、さらに該モード変換領域での入射端の膜厚は出射端の膜厚に比べて2倍以上となるストライプ状の量子井戸構造層と、前記量子井戸構造層を挟む第一及び第二のクラッド層とを有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (4)：
H01S 3/18
, G11B 7/125
, H01L 27/15
, H01L 29/06
Cited by examiner (3)
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光結合デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-299624
Applicant：日本電信電話株式会社
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半導体光集積素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-085316
Applicant：株式会社日立製作所
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量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-172009
Applicant：旭硝子株式会社
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