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J-GLOBAL ID：200903001937108259

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 森永 志郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999028628
Publication number (International publication number)：2000228444
Application date： Feb. 05, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 空孔をもつ層間絶縁膜を有する半導体装置の製造に際し、空孔の形状や寸法や位置の設定が容易で、良好な強度を有する層間絶縁膜を形成する。【解決手段】 半導体基板1上に形成された下層配線2上の層間絶縁膜3を形成するに際して、SiO2 絶縁層31を形成し、その上にBPSG絶縁層32を形成し、その上に加熱処理に対する流動性が絶縁層32より高いBPSG絶縁層33を形成し、その上に加熱処理に対する流動性が絶縁層32と同等なBPSG絶縁層34を形成し、その上面を平坦化する。絶縁層32,33,34にわたって延びる孔を形成する孔開けを行い、しかる後に加熱処理を行うことで絶縁層33を流動させて絶縁層33における孔の部分を塞ぐことで絶縁層32における穴の部分を空孔7として残す。絶縁層34上にSiO2 絶縁層35を形成する。層間絶縁膜3上に上層配線4及び絶縁層5を形成する。

Claim (excerpt)：

配線層上に絶縁膜が積層形成されている半導体装置を製造する方法であって、前記絶縁膜を形成するに際して、下側絶縁層を形成し、該下側絶縁層上に加熱処理に対する流動性が前記下側絶縁層より高い上側絶縁層を形成し、該上側絶縁層と前記下側絶縁層とにわたって延びる孔を形成する孔開けを行い、しかる後に前記加熱処理を行うことで前記上側絶縁層を流動させて該上側絶縁層における前記孔の部分を塞ぐことで前記下側絶縁層における前記穴の部分を空孔として残すことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (6)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/314 M ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 V

F-Term (37)：

5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ22 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ32 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR29 ,  5F033TT02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX25 ,  5F033XX33 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD09 ,  5F058BD10 ,  5F058BH01 ,  5F058BH08 ,  5F058BH10 ,  5F058BH12 ,  5F058BH13 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平4-207055
  
• 特開平3-097258
  
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-092234   Applicant：日本鋼管株式会社

Cited by examiner (3)

• 特開平4-207055
  
• 特開平3-097258
  
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-092234   Applicant：日本鋼管株式会社