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J-GLOBAL ID：200903001987031192

3族窒化物半導体発光素子

Inventor： 小池 正好 ,  小出 典克 ,  真部 勝英
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994142632
Publication number (International publication number)：1995326794
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】AlGaN の半導体を用いた発光素子の発光強度を向上させること、より純青色に近いスペクトルを得ることである。【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上には、順に、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約0.2 μm、Zn濃度 2×1018/cm3のZnドープのAl0.12Ga0.88N から成るi 層(発光層)4が形成されている。i層4、高キャリア濃度n+ 層3に接続するニッケルで形成された電極8と電極9が形成されている。GaInN で発光強度が最高となるZn濃度を決定、その後、Alの添加により発光波長を短くする。

Claim (excerpt)：

亜鉛(Zn)が不純物として添加された3族窒化物半導体(AlxGa1-X)YIn1-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)を発光層とする3族窒化物半導体発光素子において、前記発光層は、GaYIn1-YN (Y=1を含む) にZnを不純物として添加するとき最大発光強度が得られるZn濃度のZnを添加し、所望の発光波長が得られるAlの組成比に選択された(AlxGa1-X)YIn1-YN とすることを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-018184
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-137713   Applicant：豊田合成株式会社
• 特開平4-236478