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J-GLOBAL ID：200903001987110912

酸化物トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
椎野 修

About 椎野 修


Applicant, Patent owner：
株式会社ブリヂストン

About 株式会社ブリヂストン


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006130149
Publication number (International publication number)：2007305658
Application date： May. 09, 2006
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：
【課題】In-Ga-Zn-O膜を用いた酸化物トランジスタを低コストで効率的に製造することを目的とする。【解決手段】ソース電極4、ドレン電極4及びゲート電極2の3つの電極、チャネル層6及びゲート絶縁膜3の各要素を基板上に形成してなる酸化物トランジスタにおいて、上記各要素の少なくとも2以上をそれぞれ電気抵抗率の異なるIn-Ga-Zn-O膜で形成した。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ソース電極、ドレン電極及びゲート電極の3電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素を基板上に形成してなる酸化物トランジスタにおいて、上記各要素の少なくとも2以上をそれぞれ電気抵抗率の異なるIn-Ga-Zn-O膜で形成したことを特徴とする酸化物トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/316
FI (12)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/363 ,  H01L21/316 Y
F-Term (60)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD42 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  5F058BB07 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F058BF29 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103LL07 ,  5F103PP11 ,  5F103RR08 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF06 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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