アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005258270
Publication number (International publication number)：2007073701
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】ゲート絶縁膜を低コストで大面積に成膜することが困難である。高誘電率絶縁膜を結晶方位や、多結晶粒径を均一にし、安定性や信頼性を向上することは困難である。【解決手段】 In-M-Znを含み(MはGa,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とし、その抵抗値が1011Ω・cm以上であるアモルファス酸化物絶縁膜を、ゲート絶縁膜3として用いる、もしくは抵抗層として半導体層とゲート絶縁膜との間に用いる。チャネルを構成する半導体層としてIn-M-Znを含み(MはGa,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とし、その抵抗値が1010Ω・cm未満であり、アモルファス酸化物絶縁膜のバンドギャップが半導体層のバンドギャップよりも大きい。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

少なくとも、基板と、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜が、Inと、Znと、Oと、Ga,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種と、を含み、その抵抗値が1011Ω・cm以上であるアモルファス酸化物絶縁膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L29/78 617T , H01L21/316 Y , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 617V

F-Term (33)：

5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BF12 , 5F058BJ01 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-264885 Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-187217 Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-117532 Applicant：富士通株式会社
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-266012 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道

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