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J-GLOBAL ID：200903002074761923
プラズマ処理方法及びその装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995347326
Publication number (International publication number)：1997167757
Application date： Dec. 14, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：
【要約】【課題】 従来の処理ガスに添加ガスを追加して供給するのみで、被処理体のプラズマダメージを低減できるプラズマ処理方法及びその装置を提供すること。【解決手段】 大気圧プラズマ処理装置10の一対の電極12、14間に、放電用ガスHeを供給手段42a、44aを介して供給して、大気圧下にてプラズマを生成して、被処理体1の処理を行う。このとき、供給手段42b又は44bを介して添加ガスを供給する。この添加ガスは、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)又はキセノン(Xe)の中から選ばれる不活性ガスである。あるいは、O2、CF4、N2、CO2、SF6及びCHF3の中から選ばれた反応性ガス、少なくともO、N、F、Clを含むガス、又はそれらを含む液の気相状態のものを、添加ガスとして使用する。処理によっては、被処理体表面の濡れ性を改善するガス、アッシングガス、エッチングガスなどの処理用反応性ガスを、供給手段42c、44cを介して併せて供給する。この場合、添加ガスとして反応性ガスを用いるときは、添加ガスは処理用反応性ガスとは異なる反応性ガスが使用される。
Claim (excerpt)：
プラズマ処理装置に放電用ガスを供給して、大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズマを生成して、被処理体の表面の濡れ性を改善する処理を行う方法において、前記放電用ガスに添加ガスを添加してプラズマを生成する工程を有し、前記添加ガスは、該添加ガスのみにて形成されるプラズマ中の電子の固有の移動度が、前記放電用ガスのみにて生成されるプラズマ中における電子の固有の移動度よりも小さく、前記被処理体のプラズマダメージを低減しながら前記被処理体の処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5)：
H01L 21/3065
, C23F 1/00 104
, C23F 4/00
, H05H 1/46
, C23C 16/50
H01L 21/302 F
, C23F 1/00 104
, C23F 4/00 E
, H05H 1/46 A
, C23C 16/50
, H01L 21/302 C
Cited by examiner (2)
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回路用基板のプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-032489
Applicant：松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
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プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-017930
Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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