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J-GLOBAL ID：200903002075180509

SiCショットキーダイオード

Inventor： 八尾 勉 ,  大野 俊之 ,  小野瀬 秀勝 ,  浅野 勝則 ,  林 智基 ,  菅原 良孝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  関西電力株式会社
Agent (1)： 笹岡 茂 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998284780
Publication number (International publication number)：2000101101
Application date： Sep. 21, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 順方向の電流導通時の電圧降下の増大を伴うことなく、漏れ電流を低減して逆電圧阻止特性を著しく向上させた高耐圧、大電流のSiCショットキーダイオードを提供することにある。【解決手段】 一対の主表面を有し、第一導電型の高不純物濃度3および低不純物濃度2の二つの半導体層が積層されたSiC半導体基体1と、前記基体の第一主表面に形成され、第一導電型の低不純物濃度の半導体層との間にショットキー障壁51をなすショットキー金属5と、前記基体の第二主表面に形成され、第一導電型の高不純物濃度の半導体層にオーム性抵抗接触されるカソード電極6からなるSiCショットキーダイオードにおいて、前記基体内の第一主表面に近い部分に第一導電型の低不純物濃度の半導体層との間にpn接合を形成する第二導電型の埋込み層7を複数個分散配置し、その間隔を幅広くする。

Claim (excerpt)：

一対の主表面を有し、第一導電型の高不純物濃度および低不純物濃度の二つの半導体層が積層されたSiC半導体基体と、前記基体の第一主表面に形成され、前記第一導電型の低不純物濃度の半導体層との間にショットキー障壁をなすショットキー金属と、前記基体の第二主表面に形成され、前記第一導電型の高不純物濃度の半導体層にオーム性抵抗接触されるカソード電極からなるSiCショットキーダイオードにおいて、前記基体内の第一主表面に近い部分に前記第一導電型の低不純物濃度の半導体層との間にpn接合を形成する第二導電型の埋込み層を複数個分散配置することを特徴とするSiCショットキーダイオード。

IPC (2)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 657 D

F-Term (6)：

4M104AA03 ,  4M104CC03 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-124900   Applicant：富士電機株式会社