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J-GLOBAL ID:200903002079457238

ナノチューブ・センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2004555821
Publication number (International publication number):2006508348
Application date: Nov. 25, 2003
Publication date: Mar. 09, 2006
Summary:
バイモルフ構造物上に成長させ、それによって支持されたナノチューブを有するセンサ。ナノチューブは、気体または液体を検知している間、ヒートシンク上に着座し、気体または液体をナノチューブから脱着するために加熱されるとヒートシンクから離れる。ヒートシンクはトランジスタのゲートとして機能し、バイモルフ構造物がその他のトランジスタの端子として機能する。ナノチューブの電流-電圧および電流-ゲート電圧特性を、トランジスタと同様な素子として得ることができる。これら特性は、ナノチューブに吸収された気体または液体についての情報を提供することができる。
Claim (excerpt):
第1の構造物と、 前記第1の構造物に取り付けられた第1の端部、および第2の端部を有する第2の構造物と、 前記第1の構造物に取り付けられた第1の端部、および第2の端部を有する第3の構造物と、 前記第2および第3の構造物の前記第2の端部に取り付けられた少なくとも1つのナノチューブと を備えるナノチューブ・センサ。
IPC (1):
G01N 27/12
FI (2):
G01N27/12 B ,  G01N27/12 C
F-Term (14):
2G046AA10 ,  2G046AA13 ,  2G046BA00 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BC02 ,  2G046BC03 ,  2G046BE04 ,  2G046BE06 ,  2G046DB01 ,  2G046DB07 ,  2G046DB08 ,  2G046EA04 ,  2G046FB00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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