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J-GLOBAL ID:200903002079457238
ナノチューブ・センサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2004555821
Publication number (International publication number):2006508348
Application date: Nov. 25, 2003
Publication date: Mar. 09, 2006
Summary:
バイモルフ構造物上に成長させ、それによって支持されたナノチューブを有するセンサ。ナノチューブは、気体または液体を検知している間、ヒートシンク上に着座し、気体または液体をナノチューブから脱着するために加熱されるとヒートシンクから離れる。ヒートシンクはトランジスタのゲートとして機能し、バイモルフ構造物がその他のトランジスタの端子として機能する。ナノチューブの電流-電圧および電流-ゲート電圧特性を、トランジスタと同様な素子として得ることができる。これら特性は、ナノチューブに吸収された気体または液体についての情報を提供することができる。
Claim (excerpt):
第1の構造物と、
前記第1の構造物に取り付けられた第1の端部、および第2の端部を有する第2の構造物と、
前記第1の構造物に取り付けられた第1の端部、および第2の端部を有する第3の構造物と、
前記第2および第3の構造物の前記第2の端部に取り付けられた少なくとも1つのナノチューブと
を備えるナノチューブ・センサ。
IPC (1):
FI (2):
G01N27/12 B
, G01N27/12 C
F-Term (14):
2G046AA10
, 2G046AA13
, 2G046BA00
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BC02
, 2G046BC03
, 2G046BE04
, 2G046BE06
, 2G046DB01
, 2G046DB07
, 2G046DB08
, 2G046EA04
, 2G046FB00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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排気ガスの成分計量方法と装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-132152
Applicant:株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
-
臭気センサー及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-271083
Applicant:松下冷機株式会社, 大森裕
-
接触燃焼式ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-269350
Applicant:富士電機株式会社
-
接触燃焼式ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-314537
Applicant:富士電機株式会社
-
ナノチューブ配列構造およびナノチューブ配列構造の生成方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-589397
Applicant:インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
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特開昭62-298721
-
ナノチューブをベースとする生体分子の電子検知
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2005-507121
Applicant:ナノミックス・インコーポレーテッド
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