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J-GLOBAL ID：200903056102530706

ナノチューブ配列構造およびナノチューブ配列構造の生成方法

Inventor： グラハム,アンドリュー ,  ホフマン,フランツ ,  クレッツ,ヨハネス ,  クロイプル,フランツ ,  ルイケン,リヒャルト ヨハネス ,  レースナー,ヴォルフガング
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
Agent (3)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002589397
Publication number (International publication number)：2004533936
Application date： May. 16, 2002
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

本発明は、基板、1つ以上の小領域を有する基板の表面にある触媒層、および基板の表面に対して平行となる、触媒層の表面にある少なくとも1つのナノチューブを備えるナノチューブ配列構造に関するものである。また、ナノチューブ配列構造は、基板とナノチューブとの間の電気的絶縁層、および少なくとも1つのナノチューブの端部が、電気的絶縁層に存在し、その中央部が、露出している形状を有している。本発明は、このナノチューブ配列構造の生成方法にも関するものでもある。

Claim (excerpt)：

基板と、 この基板の表面にあり、1つ以上の小領域を有する触媒層と、 この基板の表面に対して平行に、触媒層の表面に配される少なくとも1つのナノチューブと、 細孔とを備えており、 この細孔が、触媒層から生じ、基板の表面に対して平行となるナノチューブの成長方向を、予め決定するために用いられているナノチューブ配列構造。

IPC (4)：

B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  G01N27/12 ,  H01L29/06

FI (5)：

B82B3/00 ,  C01B31/02 101F ,  G01N27/12 C ,  G01N27/12 B ,  H01L29/06 601N

F-Term (17)：

2G046AA07 ,  2G046AA10 ,  2G046AA13 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046EA04 ,  2G046FB02 ,  2G046FB06 ,  2G046FE38 ,  4G146AA11 ,  4G146AC01A ,  4G146AD28 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC42 ,  4G146BC44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-276426   Applicant：キヤノン株式会社
• カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-305512   Applicant：キヤノン株式会社
• 炭素質ファイバーの作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-028087   Applicant：科学技術振興事業団, 松下電器産業株式会社
• 原位置微小相互接続回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-325116   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-218578   Applicant：エルジー電子株式会社