Pat
J-GLOBAL ID：200903002087666423

半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体基板の製造方法

Inventor：
萬濃 正也

About 萬濃 正也


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000304570
Publication number (International publication number)：2002110569
Application date： Oct. 04, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：
【要約】【課題】 成長する窒化物単結晶膜と異種材料基板の熱膨張係数差によって生じる亀裂、反りを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】 シリコン基板11上にSiNマスク12を形成し、シリコン基板11をウエットエッチングして台形溝を形成する。次に、1000°C程度に加熱された酸化炉にシリコン基板11を配置し、エッチング保護膜としてのシリコン酸化膜13を台形溝の表面に形成する。その後、MOVPE法により緩衝層14、GaN層15を順次形成する。
Claim (excerpt)：
基板上の一部分にマスク材を形成する工程と、前記基板の前記マスク材のない部分に凹部を形成する工程と、前記基板を酸化させて前記凹部上に保護膜を形成する工程と、前記マスク材を除去する工程と、前記基板の前記マスク材が除去された領域上に選択的に半導体膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
F-Term (51)：
4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB19 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB15 ,  5F045HA04 ,  5F045HA13 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM