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J-GLOBAL ID：200903002095614149

シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板及びシリコンウエハーの鏡面研磨方法

Inventor： 木下 暢 ,  山本 良貴
Applicant, Patent owner： 住友大阪セメント株式会社
Agent (1)： 土橋 皓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000349882
Publication number (International publication number)：2002158196
Application date： Nov. 16, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウエハー面内での表面粗さバラツキが小さい、即ち鏡面研磨均一性に優れたシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板及びシリコンウエハーの鏡面研磨方法を提供することを課題とする。【解決手段】 シリコンウエハー研磨面との当接面全域が略均一に粗面化されたプラスチック板からなるシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板を構成し、前記シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板を研磨装置またはラッピング装置の定磐上に固定し、シリコンウエハーと前記シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板との間に研磨剤スラリーを供給しながら前記シリコンウエハーを鏡面研磨するシリコンウエハーの鏡面研磨方法を構成する。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハー研磨面との当接面全域が略均一に粗面化されたプラスチック板からなることを特徴とするシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板。

IPC (3)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  B24B 53/12

FI (4)：

H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/00 A ,  B24B 53/12 Z

F-Term (10)：

3C047AA31 ,  3C047BB01 ,  3C058AA09 ,  3C058AA19 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB05 ,  3C058CB10 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-166432   Applicant：新日本製鐵株式会社