自己消弧形半導体素子の駆動回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995261303
Publication number (International publication number)：1997047015
Application date： Oct. 09, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】IGBTなどの自己消弧形半導体素子の駆動回路の特性を改善してオン・オフ信号に対する動作遅れ時間を小さくする。【解決手段】オン・オフ信号に基づくワンショット回路41,42と切換回路43とにより、IGBT25のターンオン時には大きな抵抗値の抵抗12で緩やかなスイッチングを行い、コレクタ電流上昇後は小さな抵抗値の抵抗11とし、ターンオフ時には初めは小さな抵抗値の抵抗14としオフ信号に対する動作遅れを減少させ、IGBT25がオフし始めると大きな抵抗値の抵抗13にてスイッチングを行うようにする。

Claim (excerpt)：

電圧制御形の自己消弧形半導体素子の駆動回路において、該駆動回路は、オン用電源とオフ用電源とを直列接続した駆動用電源と、外部より該駆動回路に与えられる前記自己消弧形半導体素子のオン・オフ信号に基づき、該信号がオフからオンに変化したときにオン・オフ信号のオン期間より短いパルスを出力する第1のワンショット回路と、同じくオン・オフ信号がオンからオフに変化したときに予め定めた幅を持つパルスを出力する第2のワンショット回路と、抵抗とトランジスタの直列回路からなる第1乃至第4のスイッチング回路と、第1のスイッチング回路と第2のスイッチング回路とを直列接続してなる第1のスイッチング直列回路と、同様に、第3のスイッチング回路と第4のスイッチング回路とを直列接続してなる第2のスイッチング直列回路と、前記第1乃至第4のスイッチング回路のトランジスタを選択して導通させる切換回路とから構成され、駆動用電源と第1,第2のスイッチング直列回路とをそれぞれ並列接続し、前記駆動用電源のオン用電源とオフ用電源との接続点と、前記自己消弧形半導体素子のエミッタ端子またはソース端子とを接続し、第1のスイッチング回路と第2のスイッチング回路との接続点と、第3のスイッチング回路と第4のスイッチング回路との接続点と、前記自己消弧形半導体素子のゲート端子とをそれぞれ並列接続したことを特徴とする自己消弧形半導体素子の駆動回路。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

GTOサイリスタのゲート駆動回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-088292 Applicant：日新電機株式会社
電圧駆動形素子の駆動方法及びその回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-073081 Applicant：株式会社日立製作所
ゲート駆動装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-038280 Applicant：富士電機株式会社

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