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J-GLOBAL ID：200903002130725463

窒化物半導体素子

Inventor： 長濱 慎一 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001206460
Publication number (International publication number)：2002084045
Application date： Oct. 17, 1997
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体を成長させる基板を改良することによって窒化物半導体素子を長寿命、高効率、高出力とする。【構成】 ステップ状にオフアングルしたGaN基板上に、素子構造となる窒化物半導体層が積層することにより、ステップの段差部分に成長させた活性層が量子ドット、量子ワイヤー構造となりやすいため素子の効率が向上する。好ましく活性層はInGaNよりなる井戸層を有するSQW、MQWとするとInの組成不均一により量子ドット、ワイヤーになりやすい。

Claim (excerpt)：

(0001)面を主面とするGaN基板であって、(0001)面からオフ角θが0.01°以上1°以下でオフアングルしたGaN基板上に、少なくともインジウムを含む窒化物半導体層から成る量子井戸構造の活性層を有する素子構造を積層することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (32)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA56 ,  5F045DA63 ,  5F045HA16 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-285406   Applicant：日亜化学工業株式会社