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J-GLOBAL ID：200903001852028671

窒化物半導体素子

Inventor： 長濱 慎一 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997285406
Publication number (International publication number)：1999074562
Application date： Oct. 17, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体を成長させる基板を改良することによって窒化物半導体素子を長寿命、高効率、高出力とする。【構成】 ステップ状にオフアングルした基板上に、素子構造となる窒化物半導体層が積層することにより、ステップの段差部分に成長させた活性層が量子ドット、量子ワイヤー構造となりやすいため素子の効率が向上する。好ましく活性層はInGaNよりなる井戸層を有するSQW、MQWとするとInの組成不均一により量子ドット、ワイヤーになりやすい。

Claim (excerpt)：

ステップ状にオフアングルした基板上に、素子構造となる窒化物半導体層が積層されてなることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/20 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01S 3/18

FI (5)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/20 ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• 特開昭56-059699
  
• ヘテロエピタキシャル成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-011203   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体ウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-336984   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004720   Applicant：旭化成工業株式会社
• 半導体積層薄膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-020923   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開平4-299876
  
• 窒素-3族元素化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-293944   Applicant：豊田合成株式会社
• 3-5族化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-170774   Applicant：住友化学工業株式会社
• 半導体結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-149014   Applicant：日本電信電話株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-347345   Applicant：富士通株式会社
• 特開平3-034594