多接合型薄膜太陽電池及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001394695
Publication number (International publication number)：2002280590
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】十分な光閉込効果を有しつつ、欠陥密度を低減させた結晶質半導体層を有する高効率な多接合型薄膜太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に、少なくとも第1透明導電層、非晶質又は結晶質シリコン光電変換層、第2透明導電層及び結晶質シリコン光電変換層がこの順に積層されて構成され、前記第1透明導電層の非晶質シリコン光電変換層側の表面が、その表面に凹凸を有する複数の穴が形成され、かつ前記第2透明導電層の結晶質シリコン光電変換層側の表面が、その表面に凹凸を有する複数の穴が形成されている多接合型薄膜太陽電池。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも第1透明導電層、非晶質又は結晶質光電変換層、第2透明導電層及び結晶質光電変換層がこの順に積層され、前記第1透明導電層の非晶質又は結晶質光電変換層側の表面及び前記第2透明導電層の結晶質光電変換層側の表面に、それぞれ、複数の穴が形成されており、該穴の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。

FI (2)：

H01L 31/04 W , H01L 31/04 M

F-Term (11)：

5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CA16 , 5F051CB15 , 5F051CB21 , 5F051CB27 , 5F051DA18 , 5F051FA02 , 5F051FA19 , 5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

太陽電池用基板、その製造方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-029730 Applicant：シャープ株式会社
太陽電池用基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-226809 Applicant：シャープ株式会社
光起電力装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-207908 Applicant：三洋電機株式会社

Show all

Return to Previous Page