多接合型薄膜太陽電池

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (2)：原謙三 , 原謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000333713
Publication number (International publication number)：2002141524
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】光閉込効果の高い、安定した光電変換効率を有する多接合型薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】多接合型薄膜太陽電池20は、ガラス基板11a、凹凸表面層11b、非晶質シリコン光電変換層12、中間層13、結晶質シリコン光電変換層14、裏面反射層15、裏面電極16が、この順番で積層されて構成されている。中間層13の表面の凹凸の高さを示す二乗平均値は、25〜600nmの範囲に設定されており、かつ中間層13表面の凹凸の平均線に対する凹凸表面の傾斜角をΘとしたときのtanΘが0.07〜0.20の範囲に設定されている。

Claim (excerpt)：

基板において光が入射される方向とは反対側に、複数の光電変換素子が設けられ、隣り合う光電変換素子の間の少なくとも1つには、表面が凹凸化された中間層が設けられており、上記中間層の凹凸の高さは、その二乗平均値が、25〜600nmの範囲に設定されており、かつ中間層表面の凹凸の平均線に対する凹凸表面の傾斜角をΘとしたときのtanΘが0.07〜0.20の範囲に設定されている多接合型薄膜太陽電池。

F-Term (9)：

5F051AA03 , 5F051CB21 , 5F051DA04 , 5F051DA17 , 5F051DA20 , 5F051FA02 , 5F051FA19 , 5F051GA14 , 5F051GA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

光起電力装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-207908 Applicant：三洋電機株式会社
シリコン系薄膜光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-151847 Applicant：鐘淵化学工業株式会社
光電変換素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-100275 Applicant：三洋電機株式会社

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Cited by examiner (2)

光起電力装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-207908 Applicant：三洋電機株式会社
シリコン系薄膜光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-151847 Applicant：鐘淵化学工業株式会社

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