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J-GLOBAL ID：200903058262891783

多接合型薄膜太陽電池

Inventor： 和田 健司 ,  奈須野 善之 ,  近藤 道雄 ,  松田 彰久
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  シャープ株式会社 ,  松田 彰久 ,  近藤 道雄
Agent (2)： 原 謙三 ,  原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000333713
Publication number (International publication number)：2002141524
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】 光閉込効果の高い、安定した光電変換効率を有する多接合型薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 多接合型薄膜太陽電池20は、ガラス基板11a、凹凸表面層11b、非晶質シリコン光電変換層12、中間層13、結晶質シリコン光電変換層14、裏面反射層15、裏面電極16が、この順番で積層されて構成されている。中間層13の表面の凹凸の高さを示す二乗平均値は、25〜600nmの範囲に設定されており、かつ中間層13表面の凹凸の平均線に対する凹凸表面の傾斜角をΘとしたときのtanΘが0.07〜0.20の範囲に設定されている。

Claim (excerpt)：

基板において光が入射される方向とは反対側に、複数の光電変換素子が設けられ、隣り合う光電変換素子の間の少なくとも1つには、表面が凹凸化された中間層が設けられており、上記中間層の凹凸の高さは、その二乗平均値が、25〜600nmの範囲に設定されており、かつ中間層表面の凹凸の平均線に対する凹凸表面の傾斜角をΘとしたときのtanΘが0.07〜0.20の範囲に設定されている多接合型薄膜太陽電池。

F-Term (9)：

5F051AA03 ,  5F051CB21 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051DA20 ,  5F051FA02 ,  5F051FA19 ,  5F051GA14 ,  5F051GA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光起電力装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-207908   Applicant：三洋電機株式会社
• シリコン系薄膜光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-151847   Applicant：鐘淵化学工業株式会社