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J-GLOBAL ID：200903002181876776

半導体記憶装置

Inventor： 宮本 順一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994178194
Publication number (International publication number)：1995122092
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】データのコピーをする場合、外部へ読み出しデータを持ち出さず、反転データ出力手段によりデータ保持手段のデータをビット線に伝達する。【構成】ビット線BLに接続されるNAND型メモリセル2 各々と、書き込みデータを一時的に保持するフリップフロップ回路1 と、ビット線BLを所定電位にプリチャージするPチャネルトランジスタQ1 と、ビット線BLとフリップフロップ回路1 を接続するNチャネルトランジスタQ2 と、フリップフロップ回路1 のビット線BLと反対側のノード5 とトランジスタQ2 のビット線側の一端との間に両端が接続されたNチャネルトランジスタQ3 とからなる。このトランジスタQ3 が読み出しデータ保持後、その反転データに応じた電位をビット線BLに出力するように設けられている。フリップフロップ回路1 における各端子はカラムゲート3 を介してI/O 線、 BI/O 線(I/O の反転信号線)に接続される。

Claim (excerpt)：

電荷蓄積層を有するトランジスタからなり、書き込み時にはドレインとゲートとに印加される電位の差の絶対値に応じ、その絶対値が大きいほどしきい値が大きく変動し、そのしきい値に応じたデータを記憶するメモリセルと、複数のメモリセルのドレインが共通接続されたビット線と、前記ビット線に接続され、読み出し時に前記ビット線を所定電位にプリチャージするプリチャージ手段と、前記ビット線に接続され、前記メモリセルから読み出したデータを一時的に保持する読み出しデータ保持手段と、前記読み出しデータ保持手段の反転データに応じた電位を前記ビット線に出力する反転データ出力手段とを具備したことを特徴とする半導体記憶装置。

FI (2)：

G11C 17/00 510 Z ,  G11C 17/00 520 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-343363   Applicant：株式会社東芝