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J-GLOBAL ID：200903002216287930

量子ドット構造

Inventor： グレイ,アレン,エル. ,  スティンツ,アンドレアス ,  マロイ,ケビン,ジェイ. ,  レスター,ルーク,エフ. ,  バランジス,ペトロス,エム.
Applicant, Patent owner： エスティーシー. ユーエヌエム ,  インノリューム アキュジション, インク.
Agent (1)： 飯塚 義仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006536887
Publication number (International publication number)：2007538382
Application date： Oct. 22, 2004
Publication date： Dec. 27, 2007
Summary：

対称量子ドットを量子井戸に埋め込む。対称性は、僅かに軸を外した基板、および/または量子ドット成長中の超過圧力を用いて達成する。量子ドット構造は、半導体レーザーを含む各種用途で用いることができる。

Claim (excerpt)：

ゲインを提供するための半導体活性領域であって、 僅かに軸外しした基板上に形成した量子井戸と、 前記量子井戸に埋め込んだ複数の量子ドットであって、前記量子ドットは、3未満から1までの平均の長さ対幅比を有するものと、 を備える半導体活性領域。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (5)：

5F173AF09 ,  5F173AH02 ,  5F173AH14 ,  5F173AP24 ,  5F173AR23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-289496   Applicant：日本電信電話株式会社