半導体構造およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994289496
Publication number (International publication number)：1995231084
Application date： Nov. 24, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】量子井戸構造と同等以上の光学特性を量子箱と同様の構造で得られるようにするため、キャリヤ閉じ込め層として微細な高密度島領域が形成できるようにすることを目的とする。【構成】化合物半導体の(100)面、(111)面などの低指数面から傾いた面を持つ高指数面基板11と、その上に形成された半導体バリア層12と、この半導体バリア層2に取り囲まれ、歪み量子井戸薄膜14とこの上の歪み量子井戸膜14より相対的に膜厚の厚い微細な島15とからなり、歪みを内在する半導体層からなるキャリヤ閉じ込め層13とから構成されている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体からなる基板上に形成された半導体バリア層と、この半導体バリア層上に形成され、互いに離間して配置され他の部分より膜厚の厚い複数の島とこれらの島の間に配置された前記各島よりも膜厚の薄い量子井戸からなる半導体キャリヤ閉じ込め層と、この半導体キャリヤ閉じ込め層上に形成された半導体バリア層とを含むことを特徴とする半導体構造。

IPC (3)：

H01L 29/06 , H01L 29/66 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体量子箱の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-041029 Applicant：大同特殊鋼株式会社

Cited by examiner (1)

半導体量子箱の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-041029 Applicant：大同特殊鋼株式会社

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