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J-GLOBAL ID:200903002300789763

温度特性及びDCバイアス特性に優れた誘電体磁器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 郁男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001089952
Publication number (International publication number):2002284571
Application date: Mar. 27, 2001
Publication date: Oct. 03, 2002
Summary:
【要約】【課題】 結晶粒子を微粒子化した場合でも比誘電率が大きく、かつ比誘電率の温度特性が良好な誘電体磁器を提供し、それにより高電圧が印加されても静電容量の低下率が小さい積層型電子部品を提供する。【解決手段】 この誘電体磁器は、Aサイトの一部がCa及びSrで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BCST型結晶粒子)を主成分として含有し、該BCST結晶粒子は、Mg及び希土類元素が粒子中心に比して粒子表面側に多く固溶したコアシェル構造を有し且つ0.2〜0.6μmの平均粒径を有していることを特徴とする。
Claim (excerpt):
Aサイトの一部がCa及びSrで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BCST型結晶粒子)を主成分として含有し、該BCST結晶粒子は、Mg及び希土類元素が粒子中心に比して粒子表面側に多く固溶したコアシェル構造を有し且つ0.2〜0.6μmの平均粒径を有していることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (2):
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303
FI (2):
C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303
F-Term (27):
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA03 ,  4G031CA07 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB40 ,  5G303CB43
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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