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J-GLOBAL ID：200903002314866752

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Inventor： 酒井 士郎
Applicant, Patent owner： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
Agent (2)： 吉田 研二 ,  石田 純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004064817
Publication number (International publication number)：2004172645
Application date： Mar. 08, 2004
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】結晶性に優れた窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体を得る。【解決手段】基板10上にSiNバッファ体12を離散的に形成し、その上に低温GaNバッファ層14を形成する。低温GaNバッファ層14上に離散的に第2のSiNバッファ体15を形成し、高温GaN半導体層16を成長させる。第2のバッファ体15により低温GaNバッファ層14を大部分被覆するため、昇温時に低温GaNバッファ層14の蒸発を抑え、GaN半導体層16の転位を抑制する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にバッファ層を低温で成長させ、さらに前記バッファ層上にGaN系化合物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、 前記GaN系化合物半導体の形成に先立ち、前記バッファ層上に前記GaN系化合物半導体形成時の昇温に伴う前記バッファ層の蒸発を防止する蒸発防止バッファ体を離散的に形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (2)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

F-Term (16)：

5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開平4-297023号公報
  

Cited by examiner (1)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-062760   Applicant：日本電気株式会社