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J-GLOBAL ID：200903002346985648

積層基板、積層基板の製造方法及びデバイス

Inventor： 野口 仁 ,  澤邊 厚仁
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  澤邊 厚仁
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005071924
Publication number (International publication number)：2006248883
Application date： Mar. 14, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：

【課題】MgO基板とIr膜、Ir膜とダイヤモンド膜が各界面で剥離しにくく、特に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板を提供する。【解決手段】少なくとも、単結晶MgO基板と、該MgO基板上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム(Ir)膜と、該Ir膜上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記Ir膜の結晶性が、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°または2θ=47.3°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.40°以下のものであることを特徴とする積層基板。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも、単結晶MgO基板と、該MgO基板上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム(Ir)膜と、該Ir膜上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記Ir膜の結晶性が、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°または2θ=47.3°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.40°以下のものであることを特徴とする積層基板。

IPC (7)：

C30B 29/04 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/511 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/205

FI (7)：

C30B29/04 E ,  C23C14/14 D ,  C23C14/35 Z ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C30B23/08 P ,  H01L21/205

F-Term (35)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EF02 ,  4G077HA05 ,  4G077TA04 ,  4G077TB07 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4K029AA04 ,  4K029BA02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA02 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AD12 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045DA63

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ダイヤモンド合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-324001   Applicant：住友電気工業株式会社