ダイヤモンド合成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996324001
Publication number (International publication number)：1998167888
Application date： Dec. 04, 1996
Publication date： Jun. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】面積が大きくかつ高品質なダイヤモンド膜を提供する。【解決手段】炭素成分を含むプラズマ状態から基板11上にダイヤモンドを合成する方法であって、基板11の上方にフィラメント3を設ける。フィラメント3は、熱電子放出材料であるタングステンを含む。フィラメント3から離隔した位置に電極4を設ける。基板11の電位に対して相対的に高い電位を少なくとも一時的にフィラメント3に与え、かつフィラメント3の電位に対して相対的に高い電位を少なくとも一時的に電極4に与える。これにより、フィラメント3と基板11との間にプラズマを発生させ、かつフィラメント3から電極4へ電子を移動させてフィラメント3と電極4の間にプラズマを発生させる。

Claim (excerpt)：

炭素成分を含むガスから基板上にダイヤモンドを合成する方法であって、前記基板の上方に熱電子放出材料を含む電子放出体を設け、その電子放出体から離隔した位置に電極を設け、前記基板の電位に対して相対的に高い電位を少なくとも一時的に前記電子放出体に与え、かつ前記電子放出体の電位に対して相対的に高い電位を少なくとも一時的に前記電極に与えることにより、前記電子放出体と前記基板との間にプラズマを発生させ、かつ、前記電子放出体から前記電極へ電子を移動させて前記電極と前記電子放出体の間にプラズマを発生させることを特徴とする、ダイヤモンド合成方法。

IPC (3)：

C30B 29/04 , C23C 16/26 , C23C 16/50

FI (3)：

C30B 29/04 B , C23C 16/26 , C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-232371
直流電界印加CVDによるダイヤモンド状炭素成長法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124797 Applicant：株式会社石塚研究所, 黄燕清
特公平6-049635

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

結晶成長ハンドブック, 19950901, 初版, 340-341頁

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