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J-GLOBAL ID：200903002549848107

半導体装置とその製造方法

Inventor： 高谷 秀史
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007209647
Publication number (International publication number)：2009044064
Application date： Aug. 10, 2007
Publication date： Feb. 26, 2009
Summary：

【課題】 半導体装置の耐圧を向上させることができる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置100は、n+型のバッファ領域17と、n型のドリフト領域16と、p型のベース領域2と、ゲート電極8と、ソース電極4と、ガードリング12a、12bと、チャネルストッパ領域14と、ドレイン電極18を備えている。半導体装置100はさらに、半導体装置100の内部の終端部分に流体経路9を備えている。流体経路9は壁面が絶縁膜10で覆われており、内部にマイナス電位に調整されている低温の流体11が流動している。半導体装置100の内部に流体経路11を形成することによって、流体経路11の周辺の等電位線が伸ばされ、空乏層が広がる。半導体装置100の耐圧を向上させることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

電位調整装置と組合せて用いる半導体装置であり、 半導体装置の内部に、電位調整装置によって電位が調整されている流体が流動するとともに、壁面が絶縁膜で覆われている流体経路が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 23/34 ,  H01L 23/473 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/76

FI (6)：

H01L29/78 652N ,  H01L23/34 A ,  H01L23/46 Z ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652R

F-Term (6)：

5F136AA10 ,  5F136CA00 ,  5F136CB00 ,  5F136DA13 ,  5F136GA28 ,  5F136JA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 縦型電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-075918   Applicant：日本電気株式会社