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J-GLOBAL ID：200903002598661411

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
松本 光市

About 松本 光市


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001020745
Publication number (International publication number)：2002231951
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】SOI基板に形成されるCMOSを含む半導体装置であって、高集積化が可能である半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】SOI基板の半導体層に形成された複数の第1導電型不純物拡散領域15S、15Dと、第2導電型ボディ領域16と、複数の第2導電型不純物拡散領域19S、19Dと、第1導電型ボディ領域20と、第1導電型不純物拡散領域の1個15Dと第2導電型不純物拡散領域の1個19Dとが接する接合面と、少なくとも接合面を含む第1導電型不純物拡散領域の1個15Dおよび第2導電型不純物拡散領域の1個19Dの上部に形成された導電層(シリサイド層)21と、第1および第2導電型ボディ領域16、20上に積層されたゲート絶縁膜17およびゲート電極18とを有する半導体装置およびその製造方法。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に形成された埋め込み絶縁膜と、前記埋め込み絶縁膜上に形成された半導体層と、前記埋め込み絶縁膜上に前記半導体層を囲むように形成された素子分離絶縁領域と、前記半導体層に形成された複数の第1導電型不純物拡散領域と、前記第1導電型不純物拡散領域間の前記半導体層に形成された第2導電型ボディ領域と、前記半導体層に形成された複数の第2導電型不純物拡散領域と、前記第2導電型不純物拡散領域間の前記半導体層に形成された第1導電型ボディ領域と、前記第1導電型不純物拡散領域の1個と前記第2導電型不純物拡散領域の1個とが接する接合面と、少なくとも前記接合面を含む前記第1導電型不純物拡散領域の1個および前記第2導電型不純物拡散領域の1個の上部に形成された導電層と、前記第1導電型ボディ領域および第2導電型ボディ領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 331
FI (3)：
H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 27/08 321 F
F-Term (42)：
5F048AA00 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG06 ,  5F048DA25 ,  5F110AA04 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN62 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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