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J-GLOBAL ID：200903002608051242

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、磁気再生装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、および、磁気抵抗効果素子製造装置

Inventor：
船山 知己

About 船山 知己


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003372451
Publication number (International publication number)：2005136309
Application date： Oct. 31, 2003
Publication date： May. 26, 2005
Summary：
【課題】感度を犠牲にすること無くトラック幅を狭めることができるようにし、高い出力と記録密度の向上との両立を図った磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】CPP方式の磁気抵抗効果素子において、絶縁体領域8bに電流制御領域8aが局所的に形成される混成層8を設ける。スペーサ層6を形成する金属膜に局所的にArイオンビームを照射し、そののちに当該金属膜を酸化処理する。この工程によりビーム照射領域を電流制御領域8aとし、他の部分を絶縁体領域8bとする。このような構成により、電流制御領域8aの電流狭窄効果によって高い再生出力レベルを得る。またバイアス膜35の間隔を既存の磁気抵抗効果素子と同様に保てるので、再生感度が劣化することも防止できる。さらに、電流制御領域8aの幅に相当する、実効的に狭いトラック幅を得られるようにして、記録密度の向上を促すようにした。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
複数の導電性層の積層面に垂直にセンス電流を流すCPP(Current Perpendicular-to-the-Plane)方式の磁気抵抗効果素子において、 互いに異なる複数の領域が共通の層内に混在して形成される混成層を具備し、 この混成層は、 当該混成層の積層面積よりも狭く形成され前記センス電流の流量を制限する電流制御領域と、 前記センス電流の流れを遮断する絶縁体領域とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5)：
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12
FI (5)：
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447
F-Term (6)：
5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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