磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995330010
Publication number (International publication number)：1997172212
Application date： Dec. 19, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】微小磁界で大きな磁気抵抗変化が生じる磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリ-素子を可能とする。【解決手段】図1(a)(b)に示すように[磁性膜3/非磁性膜2/磁性膜1]なる構造の磁気抵抗効果素子において、非磁性膜を導電体と絶縁体との混合物より構成することにより磁性膜1、3の磁気的結合を低減し高感度特性を実現し、かつ膜面垂直方向に電流を流して磁界を検知することが可能となるため、大きなMR変化率が得られる。これにヨ-クを付ければMRヘッドとして、又ワ-ド線等を付ければメモリ-素子が可能となる。

Claim (excerpt)：

磁界を印可することにより抵抗変化を示す[磁性膜/非磁性膜/磁性膜]なる構造の磁気抵抗効果素子において、非磁性膜が絶縁体と導電体との混合物より成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , H01F 10/30

FI (4)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , H01F 10/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭61-253620
磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-170081 Applicant：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-027827 Applicant：名古屋大学長, 株式会社日立製作所

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