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J-GLOBAL ID:200903002656304551

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004129755
Publication number (International publication number):2005223305
Application date: Apr. 26, 2004
Publication date: Aug. 18, 2005
Summary:
【課題】 樹脂封止型半導体装置において、リードフレーム表面をメッキすることによりモールド樹脂との密着性を確保しつつ、プリント基板実装後の外観検査においてプリント基板のソルダレジストとアウターリードとの識別を容易に行えるようにする。【解決手段】 半導体チップ20とリードフレーム30とがモールド樹脂50で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、リードフレーム30の表面には、モールド樹脂50との密着性向上用のメッキ膜30aが形成されており、リードフレーム30のアウターリード32のうちプリント基板への実装後における外観検査が行われる検査面100aには、リードフレーム30におけるその他の部位に比べてメッキ膜30aの平坦性が良くなっていることで光沢性に優れた光沢面32bが、形成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
互いに電気的に接続された半導体素子(20)とリードフレーム(30)とがモールド樹脂(50)で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、 前記リードフレーム(30)の表面には、前記モールド樹脂(50)との密着性を向上させるためのメッキ膜(30a)が形成されており、 前記リードフレーム(30)のうち前記モールド樹脂(50)から突出する部位であるアウターリード(32)のうちプリント基板(200)への実装後における外観検査が行われる検査面(100a)には、前記リードフレーム(30)におけるその他の部位に比べて前記メッキ膜(30a)の平坦性が良くなっていることで光沢性に優れた光沢面(32b)が、形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (1):
H01L23/50
FI (2):
H01L23/50 N ,  H01L23/50 D
F-Term (6):
5F067AA04 ,  5F067AA13 ,  5F067BC01 ,  5F067DC17 ,  5F067DC18 ,  5F067DC19
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
  • 特開平4-115558号公報
  • 樹脂用インサート部材
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-207480   Applicant:新光電気工業株式会社
  • 半導体装置用リードフレーム
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-201324   Applicant:日本高純度化学株式会社
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