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J-GLOBAL ID：200903034427479460

半導体装置用リードフレーム

Inventor： 芹 澤 精 一 ,  井 川 匡 弘
Applicant, Patent owner： 日本高純度化学株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996201324
Publication number (International publication number)：1998027873
Application date： Jul. 11, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 モールド樹脂密着性とAgペースト樹脂密着性に優れており、信頼性の高い半導体装置用リードフレームを提供すること。【解決手段】 ?@ リードフレーム素材上の中間層としてのNiめっき層の結晶が、(1.1.1)面および(3.1.1)面に強い配向性を有することを特徴とする、半導体装置用リードフレーム。?A Niめっき層の厚みが0.05μm〜50μmであり、Niめっき層の上層として、Pd,Pd合金、Au,Au合金、Ag,およびAg合金のいずれか1種以上のめっき層を有している。

Claim (excerpt)：

リードフレーム素材上の中間層としてのNiめっき層の結晶が、(1.1.1)面および(3.1.1)面に強い配向性を有することを特徴とする、半導体装置用リードフレーム。

IPC (3)：

H01L 23/50 ,  C25D 3/12 ,  C25D 7/12

FI (3)：

H01L 23/50 D ,  C25D 3/12 ,  C25D 7/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-090660
  
• リードフレーム材およびリードフレーム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-279912   Applicant：三菱伸銅株式会社
• 端子構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-309333   Applicant：日本特殊陶業株式会社