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J-GLOBAL ID:200903002657436206
X線発生装置、X線露光装置及び半導体デバイスの製造方法
Inventor:
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,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
細江 利昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999287567
Publication number (International publication number):2001108799
Application date: Oct. 08, 1999
Publication date: Apr. 20, 2001
Summary:
【要約】【課題】 長時間安定してX線を発生できるX線発生装置を提供する。【解決手段】 同軸状の電極のうち、アノード805電極の上方に、標的溜まり800に結合されたノズル801がおかれており、ノズル801からは標的物質である微粒子状の水酸化リチウムが噴出されるようになっている。微粒子状の標的物質802がアノード電極805先端部に到達したときに、絶縁部材807の表面で発生したプラズマシートがアノード電極805の先端に到達するようなタイミングで、アノード電極805-カソード電極806間にパルス電圧を印加する。このようにすることにより、微粒子状のターゲット物質を自動的に、しかも断続的に供給できるので長時間X線を発生させ続けることができる。また、微粒子の速度をモニターして放電のタイミングを制御することにより、強くて安定したX線強度を得ることができる。
Claim (excerpt):
電極間に高電圧パルスを印加することにより、電極材料又は電極近傍に存在する標的物質をプラズマ化し、当該プラズマよりX線を発生させるX線発生装置であって、前記電極材料を連続的又は断続的に供給する供給手段を具備したことを特徴とするX線発生装置。
IPC (5):
G21K 5/02
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
, H05G 2/00
, H05H 1/24
FI (5):
G21K 5/02 X
, H05H 1/24
, H01L 21/30 531 A
, H01L 21/302 B
, H05G 1/00 K
F-Term (19):
4C092AA04
, 4C092AA07
, 4C092AA14
, 4C092AA15
, 4C092AA16
, 4C092AB21
, 4C092AC09
, 4C092BD18
, 4C092BD19
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BD07
, 5F004CA02
, 5F046GA03
, 5F046GA06
, 5F046GA09
, 5F046GB01
, 5F046GC03
, 5F046GD10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
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特開昭62-024544
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特開昭62-024544
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特開昭63-232251
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特開昭63-232251
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特開昭57-191948
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特開昭63-128537
-
特開昭57-208099
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特開平2-033900
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特開昭62-024544
-
特開昭63-232251
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特開昭57-191948
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特開昭63-128537
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特開昭57-208099
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特開平2-033900
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特開平4-218249
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特開平4-218249
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レーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-024731
Applicant:株式会社日立製作所
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