レーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997024731
Publication number (International publication number)：1998221499
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】デブリの発生が少なく、X線変換効率が高いレーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法を提供する。【解決手段】X線発生部100は、ターゲットの周りを取り囲む真空容器5,微粒子混合ガスをターゲットとして真空容器5内に供給するターゲット供給装置110,微粒子混合ガスターゲット10にレーザ光2を照射するレーザ照射装置120、および真空容器5内の微粒子混合ガスを回収するターゲット回収装置130から構成される。

Claim (excerpt)：

レーザ光をターゲットに照射してプラズマを生成し、そのプラズマからX線を発生させるレーザプラズマX線源において、前記ターゲットは粒子と気体とを混合したものであり、前記ターゲットを噴射するターゲット噴射装置と、前記レーザ光を噴射された前記ターゲットに照射するレーザ照射装置を備えることを特徴とするレーザプラズマX線源。

IPC (6)：

G21K 5/02 , G03F 7/20 503 , H01J 35/00 , H01L 21/027 , H05G 2/00 , H05H 1/24

FI (6)：

G21K 5/02 X , G03F 7/20 503 , H01J 35/00 C , H05H 1/24 , H01L 21/30 531 A , H05G 1/00 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平3-201399
レーザプラズマX線発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-038113 Applicant：株式会社日立製作所
X線発生方法およびX線発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-051866 Applicant：株式会社ニコン

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