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J-GLOBAL ID：200903002660542955
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992361114
Publication number (International publication number)：1994204233
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 HBT(ヘテロバイポーラトランジスタ)において、HBTの性能を向上させるために、内部ベース抵抗を下げ、かつ動作部の発熱密度を従来より小さくする。【構成】 従来フィンガー状に形成されていたエミッタを、そのフィンガーの途中で数個のエミッタ層21に分割してアイランド状に配置形成し、ベース電極5を、該各エミッタ層21を取り囲むようその周囲に網目状に形成した構造とした。【効果】 内部ベース抵抗を下げることができ、かつ動作部の発熱密度を低減でき、これにより、HBTの利得,出力電力,効率等の性能を向上できる。
Claim (excerpt)：
基板または半導体層上に形成されたサブコレクタ層と、該サブコレクタ層上に形成されたコレクタ層と、該コレクタ層上に形成されたベース層とを備えたヘテロバイポーラトランジスタを構成する半導体装置において、上記ベース層上にアイランド状に複数配置形成されたエミッタ層と、該エミッタ層の周りに該エミッタ層に自己整合的に形成されたベース電極と、上記アイランド状に多数配置したエミッタ層を相互に接続するエアブリッジ配線よりなるエミッタフィンガー電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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