Pat

J-GLOBAL ID：200903002675613018

半導体装置

Inventor： 中山 達峰 ,  宮本 広信 ,  安藤 裕二 ,  岡本 康宏 ,  井上 隆 ,  大田 一樹 ,  分島 彰男 ,  村瀬 康裕 ,  黒田 尚孝 ,  田能村 昌宏
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007183853
Publication number (International publication number)：2009021458
Application date： Jul. 13, 2007
Publication date： Jan. 29, 2009
Summary：

【課題】良好なトランジスタ特性を保ちつつ衝突イオン化により生成した正孔を外部に放出することができる半導体装置を提供する。【解決手段】基板100と、基板100上に設けられたIII族窒化物半導体多層膜と、III族窒化物半導体多層膜の上部に設けられた、ゲート電極112、ソース電極110およびドレイン電極114とを備え、III族窒化物半導体多層膜は、正孔走行層104、電子走行層106および電子供給層108を含み、正孔走行層104とゲート電極112とが導電体により電気的に接続されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に設けられたIII族窒化物半導体多層膜と、 前記III族窒化物半導体多層膜の上部に設けられた、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、 を備え、 前記III族窒化物半導体多層膜は、正孔走行層、電子走行層および電子供給層を含み、 前記正孔走行層と前記ゲート電極とが導電体により電気的に接続されている ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423

FI (5)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L29/58 Z

F-Term (33)：

4M104AA04 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL09 ,  5F102GL17 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR06 ,  5F102GS03 ,  5F102GT03 ,  5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-137127   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-288136   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-274739   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-288136   Applicant：株式会社東芝