化合物半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003137127
Publication number (International publication number)：2004342810
Application date： May. 15, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

【課題】AlGaN/GaNのヘテロ構造を有するFETにおいて、チャネルの電位を安定させ、チャネル中に蓄積された正孔を効率的に除去することが可能な化合物半導体装置を提供する。【解決手段】導電性の基板の上に、P型導電性を有するバッファ層がエピタキシャル成長されている。バッファ層の上に、GaNからなる電子走行層が形成されている。電子走行層の上に、N型のAlGaNまたはN型のAlNからなる電子供給層が形成されている。電子供給層の上にゲート電極が形成されている。ゲート電極の両側に、電子走行層とオーミック接続されたソース電極及びドレイン電極が配置されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

導電性の基板と、前記基板の上にエピタキシャル成長され、P型導電性を有するバッファ層と、前記バッファ層の上に形成されたGaNからなる電子走行層と、前記電子走行層の上に形成されたN型のAlGaNまたはN型のAlNからなる電子供給層と、前記電子供給層の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側に配置され、前記電子走行層とオーミック接続されたソース電極及びドレイン電極とを有する化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (16)：

5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK00 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR13 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GV08 , 5F102HC11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-319704 Applicant：日本電気株式会社
絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-241581 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-110887 Applicant：三洋電機株式会社

Show all

Return to Previous Page