Pat
J-GLOBAL ID:200903012973452456
化合物半導体装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003137127
Publication number (International publication number):2004342810
Application date: May. 15, 2003
Publication date: Dec. 02, 2004
Summary:
【課題】AlGaN/GaNのヘテロ構造を有するFETにおいて、チャネルの電位を安定させ、チャネル中に蓄積された正孔を効率的に除去することが可能な化合物半導体装置を提供する。【解決手段】導電性の基板の上に、P型導電性を有するバッファ層がエピタキシャル成長されている。バッファ層の上に、GaNからなる電子走行層が形成されている。電子走行層の上に、N型のAlGaNまたはN型のAlNからなる電子供給層が形成されている。電子供給層の上にゲート電極が形成されている。ゲート電極の両側に、電子走行層とオーミック接続されたソース電極及びドレイン電極が配置されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
導電性の基板と、
前記基板の上にエピタキシャル成長され、P型導電性を有するバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成されたGaNからなる電子走行層と、
前記電子走行層の上に形成されたN型のAlGaNまたはN型のAlNからなる電子供給層と、
前記電子供給層の上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側に配置され、前記電子走行層とオーミック接続されたソース電極及びドレイン電極と
を有する化合物半導体装置。
IPC (3):
H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
FI (1):
F-Term (16):
5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ10
, 5F102GK00
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR13
, 5F102GS01
, 5F102GT01
, 5F102GV08
, 5F102HC11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-319366
Applicant:株式会社東芝
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半導体装置
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Applicant:日本電信電話株式会社
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Applicant:三洋電機株式会社
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Application number:特願平9-131488
Applicant:シャープ株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-319704
Applicant:日本電気株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-241581
Applicant:ソニー株式会社
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パワーMOSFET及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-380094
Applicant:株式会社東芝
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半導体装置
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Application number:特願2001-067088
Applicant:株式会社東芝
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GaNエピタキシャル層の成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-096203
Applicant:住友電気工業株式会社
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