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J-GLOBAL ID:200903002675956624

半導体製造装置および半導体素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 富田 和子 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994075956
Publication number (International publication number):1994310496
Application date: Apr. 14, 1994
Publication date: Nov. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】 回転されるウェハ上に、平坦化用物質がウェハの全表面上に均等に塗布されるようにする半導体製造装置および半導体の製造方法を提供する。【構成】 モータの回転力による固定板13の回転させた状態で、SOG物質を上記ウェハ上に塗布する際、上記ウェハ11の縁面に熱エネルギを供給する。これにより、熱エネルギを受けるウェハ11の縁では、熱エネルギがSOG物質の回転塗布時の粘性係数を小さくするために、上記縁の付近においての表面張力が低くなり、均等な厚さにSOG物質が塗布される。
Claim (excerpt):
電源が印加されて回転力を発生するモータと、このモータにより回転しながらウェハを固定する固定板と、上記固定板を収容するハウジングと、上記ハウジングを通じて上記固定板に載置されたウェハに平坦化用SOG物質を注入するSOG物質注入部を含み、上記固定板の回転によりSOG物質を上記ウェハ上に塗布する半導体製造装置において、上記ウェハの縁面に、熱エネルギを供給する熱エネルギ供給手段を含むことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2):
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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