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J-GLOBAL ID：200903002690357800

窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
渡辺 温

About 渡辺 温

, 
田中 利之

About 田中 利之

, 
太田 啓之

About 太田 啓之


Applicant, Patent owner：
パイオニア株式会社

About パイオニア株式会社


Agent (1)： 藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999167986
Publication number (International publication number)：2000357820
Application date： Jun. 15, 1999
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：
【要約】【課題】 貫通転位の発生を抑制し且つ膜の平坦性を維持して、故に優れた発光特性を有するGaN系半導体発光素子及びその製造方法を与える。【解決手段】 少なくとも、低温バッファ層上に反応ガスの圧力を大気圧近傍に維持しつつアンドープ窒化ガリウム下地層を形成する下地層形成ステップと、下地層の表面を平坦化する平坦化層を形成する平坦化ステップと、を含むことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
有機金属化学気相成長(MOCVD)法によって、低温バッファ層を介して窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1)を基板上に成膜して得られる窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法であって、前記低温バッファ層上に反応ガスの圧力を大気圧近傍に維持しつつアンドープ窒化ガリウム下地層を形成する下地層形成ステップと、前記下地層の表面を平坦化する平坦化層を形成する平坦化ステップと、を含むことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
F-Term (34)：
4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030DA02 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073EA07 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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