青色発光素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996230679
Publication number (International publication number)：1997129929
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】製造工程の短縮された窒化ガリウム系青色発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の導電型の不純物が添加された第1の窒化ガリウム系半導体層と、実質的に真正な窒化ガリウム系半導体活性層と、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型の不純物が添加された第2の窒化ガリウム系半導体層が積層され、前記第1及び第2の窒化ガリウム系半導体層及び前記窒化ガリウム系半導体活性層は、熱CVDで形成された後不活性ガス中で自然放冷される。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の不純物が添加された第1の窒化ガリウム系半導体層と、実質的に真正な窒化ガリウム系半導体活性層と、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型の不純物が添加された第2の窒化ガリウム系半導体層が積層され、前記第1及び第2の窒化ガリウム系半導体層及び前記窒化ガリウム系半導体活性層は、熱CVDで形成された後不活性ガス中で自然放冷され、添加された不純物の7%以上が活性化されていることを特徴とする青色発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

3族窒化物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-286048 Applicant：豊田合成株式会社
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-250540 Applicant：松下電器産業株式会社
p型AlGaN系半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-163217 Applicant：三菱電線工業株式会社

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